12月2日-6日，在美国夏威夷举行的第九届新材料和器件的原子级表征国际研讨会（9th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devies’13）上，我校微尺度物质科学国家实验室博士研究生阮瞩同学的工作"Simulation Study of Atomic Resolution Secondary Electron Image"受到了广泛好评，被授予优秀学生奖（Student Award）。该工作采用最新发展的量子Monte Carlo方法，模拟了在STEM中具有原子级分辨率的二次电子像，实现了对晶体样品中二次电子产生、输运及散射过程的模拟分析，证明了高加速电压下的原子内壳层电离是产生二次电子原子级像衬度的主要来源。阮瞩同学的导师是丁泽军教授。
　　新材料和器件的原子级表征研讨会是材料分析领域的一个大型系列国际会议，由日本科学振兴协会（Japan Society for the Promotion of Science）第141微束分析委员会（the 141st Committee on Microbeam Analysis）主办，每两年召开一次，共有来自二十多个国家近三百人出席。会议关注新材料和器件的原子级表征的各种实验和理论方法及应用，探讨用于表面、界面分析的新技术、材料原子级表征方法发展等基础问题，包括理论和模拟方法等。
　　为奖励在材料分析领域有出色工作的博士研究生，大会设立了优秀学生奖，在全世界范围内的与会者中根据相关研究工作每两年评选5人左右。颁奖典礼于12月4日上午举行，日本科学振兴协会微束分析委员会主席Y. Saito教授为阮瞩同学颁发了奖状和奖金。