张 汇


/uploads/image/2019/07/18/0eb934d802759e2f668c49e1292d66e4.jpg 姓 名: 张 汇
 地 址: 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心原计算中心小楼305室 
 邮 编:230026
 电 话:0551-63607185
 主 页:http://staff.ustc.edu.cn/~huiz
 电 邮:huiz@ustc.edu.cn




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 教育与科研经历
  2017.2 ~ 现在中国科学技术大学 合肥微尺度物质科学国家研究中心,特任研究员
  2013.10 ~ 2017.2

加拿大滑铁卢大学,量子计算中心,博士后

  2012.9 ~ 2013.10助理研究员, 合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学
  2007.9 ~ 2012.11中国科学技术大学,合肥微尺度物质科学国家实验室,博士研究生 博士学位
  2003.9 ~ 2007.7安徽大学,物理与材料科学学院 应用物理专业,本科 学士学位


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 目前研究方向
  1.原子尺度下低维材料的扫描隧道显微学研究
  2.磁性拓扑绝缘体的自旋输运和拓扑超导体的约瑟夫森效应研究
  3.新型二维材料的开发
  4.高真空互联系统开发


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 在研科研项目
  1.基于表面一维或准一维纳米结构超导特性的探索和研究 2019.01-2021.12 
国家自然科学基金青年科学基金项目,项目负责人
  2.亚纳米尺度结构和相互作用的高分辨谱学表征 2017.07-2022.06 
国家科技部国家重点研发计划,课题骨干
  3.低煤阶煤基石墨烯制备关键技术研究与应用 2018.11-2020.12 
安徽省自然科学基金面上项目,项目负责人


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 代表性论文
  1.H. Zhang, X. D. Ma, L. Li, D. Langenberg, C. G. Zeng, G. X. Miao, 2018, “Two-step growth of high-quality Nb/(Bi0.5Sb0.5)2Te3/Nb heterostructures for topological Josephson junctions”, J. Mater. Res, DOI: 10.1557/jmr.2018.195.
  2.H. Zhang, F. F. Ming, H. J. Kim, H. B. Zhu, Q. Zhang, H. H. Weitering, X. D. Xiao, C. G. Zeng, J. H. Cho, Z. Y. Zhang, 2014, “Stabilization and Manipulation of Electronically Phase-Separated Ground States in Defective Indium Atom Wires on Silicon”, Phys. Rev. Lett. 113, 196802.
  3.H. Zhang, J.-H. Choi, Y. Xu, X. X. Wang, X. F. Zhai, B. Wang, C. G. Zeng, J.-H. Cho, Z. Y. Zhang, J. G. Hou, 2011, “Atomic Structure, Energetics, and Dynamics of Topological Solitons in Indium Chains on Si(111)”, Phys. Rev. Lett., 106, 026801.
  4.J. Qi, H. Zhang, D. D. Ji, X. D. Fan, L. Cheng, H. X. Liang, H. Li, C. G. Zeng, Z. Y. Zhang, 2014, “Controlled Ambipolar Tuning and Electronic Superlattice Fabrication of Graphene via Optical Gating”, Adv. Mater., 26, 3735.
  5.L. Li, H. Zhang, Y. Yang, G. X. Miao, 2017, High-Quality Epitaxial MgB2, Josephson Junctions Grown by Molecular Beam Epitaxy, Adv. Eng. Mater., 19, 1600792.
  6.Y. C. Tang, H. Zhang, S. Kwon, H. R. Mohebbi, D. G. Cory, L. C. Peng, L. Gu, H. Z. Guo, K. J. Jin, G. X. Miao, 2016, Superconducting resonators based on TiN/Tapering/NbN/Tapering /TiN heterostructures, Adv. Eng. Mater., 18, 1816.
  7.W. H. Wang, Y. F. Ji, H. Zhang, A. D. Zhao, B. Wang, J. L. Yang, J. G. Hou, 2012, “Negative Differential Resistance in a Hybrid Silicon-Molecular System: Resonance between the Intrinsic Surface-States and the Molecular Orbital”, ACS Nano, 6, 7066.
  8.Z. Y. Lin, J. H. Choi, Q. Zhang, W. Qin, S. Yi, P. D. Wang, L. Li, Y. F. Wang, H. Zhang, Z. Sun, L. M. Wei, S. B. Zhang, T. F. Guo, Q. Y. Lu, J. H. Cho, C. G. Zeng, Z. Y. Zhang, 2018, “Flatbands and Emergent Ferromagnetic Ordering in Fe3Sn2 Kagome Lattices” Phys. Rev. Lett., 121, 096401.
  9.X. X. Li, B. Li, X. D. Fan, L. M. Wei, L. Li, R. Tao, X. Q. Zhang, H. Zhang, Q. Zhang, H. B. Zhu, S. B. Zhang, Z. Y. Zhang, C. G. Zeng, 2018, “Atomically flat and thermally stable graphene on Si(111) with preserved intrinsic electronic properties”, Nanoscale, 10, 8377.
  10.H. X. Liang, L. Cheng, X. F. Zhai, N. Pan, H. L. Guo, J. Zhao, H. Zhang, L. Li, X. Q. Zhang, X. P. Wang, C. G. Zeng, Z. Y. Zhang, J. G. Hou, 2013, “Giant photovoltaic effects driven by residual polar field within unit-cell-scale LaAlO3 films on SrTiO3”, Sci. Rep. 3, 1975.


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