美国田纳西大学明方飞博士来研究中心进行学术交流与访问

时间：2018-01-19 02:08:52 来源：合肥微尺度物质科学国家研究中心|

　　应曾长淦教授的邀请，1月19日，美国田纳西大学明方飞博士来研究中心进行学术交流与访问，并为师生们作题为“Realization of a hole-doped Mott insulator on a triangular silicon lattice and its zero-bias-anomaly”的学术报告。

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