9月13日，中国科学院微电子研究所朱慧珑研究员前来实验室进行学术交流与访问，并为师生们做“CMOS device scaling challenges and opportunities”的学术报告。
　　朱慧珑，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师. 提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜（Dual Stress Liner）、应力近临技术（stress proximity technique）、减薄栅极的应变MOSFET等；较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。
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