报告摘要：

　　密度泛函理论因其较快的计算速度和较好的准确度在固体表面化学的研究中起着关键性作用。然而，对于较复杂的电子结构问题（例如，高精度弱相互作用、电荷转移反应、强静态关联体系、以及激发态），通常使用的密度泛函的精度存在一定问题。而量子化学中较高级的关联函数方法（如MPn、CI、CC、CAS等）因其高昂的计算代价，难于直接应用于尺寸较大，结构复杂的表面体系。量子嵌入理论旨在使用较高级但昂贵的关联函数方法描述参与反应的原子，并将其“嵌入”到使用密度泛函理论描述的惰性固体环境中。采用此种多尺度混合方法，我们可以有效实现高精度与高速度的结合。本报告将重点介绍密度泛函嵌入理论（DFET）在通用VASP计算软件中的实现与应用；以及近年来为精确描述共价键体系，我们对该方法所做的进一步发展。

参考文献:

[1]. Kuang Yu, Florian Libisch, and Emily Carter*; Implementation of density functional embedding theory within the projector-augmented-wave method and applications to semiconductor defect states; J. Chem. Phys. 143, 102806 (2015)

[2].Kuang Yu, Emily Carter*; Extending density functional embedding theory for covalently bonded systems; Proc. Natl. Acad. Sci. 114, E10861-E10870 (2017)

报告人简介：

　　余旷教授2008年本科毕业于北京大学化学与分子工程学院，并于2013年取得美国威斯康星大学麦迪逊分校理论化学博士学位。2013-2016年于普林斯顿大学机械与航天工程系Emily Carter教授课题组担任博士后研究员。2016-2018年余旷博士加入D. E. Shaw Research公司担任研究科学家，2018年12月至今担任清华-伯克利深圳学院（TBSI）纳米能源材料实验室助理教授。余旷教授的研究兴趣为理论计算化学与材料学，包括材料体系的第一性原理计算与分子力学模拟，主要研究方向为第一性原理力场发展和多尺度电子结构理论。