| 报告题目 | 低维狄拉克材料的电子输运性质 |
| 报告人 | 廖志敏 教授 |
| 报告人单位 | 北京大学物理学院 |
| 报告时间 | 2016-04-28 |
| 报告地点 | 合肥微尺度物质科学国家实验室九楼会议室（9004） |
| 主办单位 | 合肥微尺度物质科学国家实验室、国际功能材料量子设计中心（ICQD） |
| 报告介绍 | 报告摘要：
狄拉克电子材料中的载流子有效质量为零，能量和动量之间为线性色散关系，这种独特的狄拉克锥形电子能带结构导致许多新奇的量子输运性质。本报告我将汇报我们关于低维狄拉克电子材料（包括石墨烯、拓扑绝缘体Bi2Se3纳米结构、狄拉克半金属Cd3As2纳米结构）的制备和量子输运性质方面的工作：（1）石墨烯垂直结构的构筑，以及在电流垂直于石墨烯平面的情况下，温度、磁场、门电压对载流子输运的调制作用；（2）在高迁移率的Bi2Se3纳米结构中观测到来源于Bi2Se3纳米带侧面表面态的Shubnikov-de Haas (SdH)振荡，通过圆偏振光选择性激发拓扑绝缘体的表面态，增强了体系的光热电效应；（3）在狄拉克半金属Cd3As2纳米线中观测到负磁电阻效应和A-B效应，给出了外尔费米子手性反常效应以及表面态输运的实验依据。 |
