报告题目 | Growth and Characterization of GaN/InGaN Multiple Quantum Wells on Nanoscale Epitaxial Lateral Overg |
报告人 | Prof. Charles Surya (徐星全教授) |
报告人单位 | The Hong Kong Polytechnic University |
报告时间 | 2010-07-28 |
报告地点 | 合肥微尺度物质科学国家实验室9004会议室 |
主办单位 | 合肥微尺度物质科学国家实验室 |
报告介绍 |