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Growth and Characterization of GaN/InGaN Multiple Quantum Wells on Nanoscale Epitaxial Lateral Overg

来源：合肥微尺度物质科学国家研究中心
 
报告题目   Growth and Characterization of GaN/InGaN Multiple Quantum Wells on Nanoscale Epitaxial Lateral Overg
报告人   Prof. Charles Surya (徐星全教授)
报告人单位   The Hong Kong Polytechnic University
报告时间   2010-07-28
报告地点   合肥微尺度物质科学国家实验室9004会议室
主办单位   合肥微尺度物质科学国家实验室
报告介绍

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