报告摘要：

 　　低维磁性材料是当今新材料研究领域中富有活力、对未来经济和社会发展产生重要影响的研究领域。开发下一代集成多功能的自旋电子器件是量子功能材料的一个重要发展方向。通过外场（电场、磁场、微波场、温度场、应力场或光场等）以极低的功耗高效地操控电子自旋，进一步实现磁存储/磁逻辑器件、微波天线和磁电耦合传感器等满足社会生活和国防战略的重大应用需求。日前，稀土资源的日益消耗、稀土金属价格的居高不下以及稀土元素开采和提炼过程中对环境的致命性破坏等因素制约，长期依赖这些稀土磁性材料对于大规模、批量化磁性薄膜器件的发展是不利的。因此，寻找新型不含稀土元素、低成本、高性能的磁性材料成为未来磁性薄膜器件发展的必然趋势。本次报告将简要介绍报告人在过渡金属氧化物磁性薄膜[1-4]方面的研究基础，着重介绍近期基于低维氮化物磁性界面精确构筑和多物理场调控方面的研究进展，包括制备单层反铁磁金属性CrN薄膜并观测到其随应力诱导的金属-绝缘体相变[5]、首次在反铁磁氧化物和反铁磁氮化物界面观测到铁磁性[6]、以及通过轻元素掺杂调控反铁磁氮化物的磁基态[7]等。这一系列的过渡金属的氮化物薄膜研究不仅构筑了新颖的磁性界面，也为研究界面自旋输运等物理机制提供全新的研究体系。

[1] E. J. Guo, et al., Phys. Rev. Lett. 2019, 122, 187202.

[2] E. J. Guo, et al., Science Advances 2019, 5, eaav5050.

[3] S. Li, E. J. Guo,* et al., Advanced Materials 2021, 33, 2001324.

[4] Q. Zhang, E. J. Guo,* et al., Nature Communications 2021, 12, 1853.

[5] Q. Jin, E. J. Guo,* et al., Advanced Materials 2021, 33, 2005920.

[6] Q. Jin, E. J. Guo,* et al., in preparation.

[7] S. Lin, E. J. Guo,* et al., in preparation.

报告人简介：

　　郭尔佳，中科院物理研究所特聘研究员，博士生导师。2012年于中国科学院物理研究所博士毕业后，先后在德国马普微结构物理研究所和美国橡树岭国家实验室从事博士后研究。2018年9月加入中国科学院物理研究所。主要从事低维量子材料的精准构筑、新奇物性的多场调控以及新型功能器件设计方面的研究。曾获得国家海外高层次人才引进青年项目（2020）、中国科学院引进国外人才计划项目（2020获择优支持）、北京市科技新星计划（2019）、中国物理学会中子散射专业委员会优秀青年奖（2019）、中国科学院朱李月华优秀博士生奖（2012）。2020年担任科技部重点研发计划（青年项目）首席科学家。近年来在Science Adv.(1)、Phys. Rev. Lett./X(4)、Nat. Commun.(4)、Adv. Mater.(5)、Nano Lett.(4)等期刊上发表论文100余篇。