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中子散射技术对磁性阻挫材料的研究

来源:
报告题目   中子散射技术对磁性阻挫材料的研究
报告人   马杰 教授
报告人单位   上海交通大学物理与天文系
报告时间   2016-06-14 00:00:00
报告地点   合肥微尺度物质科学国家实验室九楼会议室(9004)
主办单位   合肥微尺度物质科学国家实验室
报告介绍

报告摘要:

  与经典体系中的液体类似,磁性材料的自旋会在低于临界温度下有序化排列。然而对于具有自旋阻挫的化合物,这种有序化会被破坏:晶格上的原子自发的形成一定的对称性结构,从而产生附加的原子间相互作用,导致了不同的基态。因此,自旋阻挫材料的研究对理解电子、声子、自旋和电子轨道之间的相互作用具有重要意义。中子散射对材料结构和磁激发特性具有独特优势,为这些低维和阻挫体系的结构和物性研究提供了绝佳的技术支持。通过对传统的三维阻挫体系研究,我们发现电子轨道效应与离子之间超相互作用对晶体结构和磁性结构的相变存在着竞争机制。同时,随着材料由三维变成二维,磁性量子涨落被引入体系中,从而导致特殊的物理性质。另外,阻挫这种特殊的晶体结构对声子谱也会造成一定的影响,使之成为潜在的热电功能材料。

 

报告人简介:

  马杰,上海交通大学物理与天文系特别研究员,博士生导师。2003年本科毕业于中国科学技术大学材料科学与工程系;2010年于美国衣阿华州立大学天文与物理系获得博士学位;2010年至2015年在美国橡树岭国家实验室中子散射中心和田纳西大学天文与物理系担任博士后研究员。主要运用中子散射及同步辐射X光技术对强关联体系功能材料的晶体结构、声子谱和磁子谱进行研究。已在Science, Physical Review Letters, Nature Materials, Nature Nanotechnology, Journal of the American Chemical Society 等杂志上发表论文36篇。

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